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国防科学技术预先研究基金(413100202)

作品数:5 被引量:31H指数:4
相关作者:张维佳王天民崔敏戎霭伦吴小文更多>>
相关机构:北京航空航天大学中航工业北京航空材料研究院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇马德隆常数
  • 2篇ITO
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁波
  • 1篇电磁性能
  • 1篇电阻
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇平行六面体
  • 1篇前驱物
  • 1篇自由能
  • 1篇离子晶体
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇离子束辅助沉...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉末
  • 1篇晶胞

机构

  • 4篇北京航空航天...
  • 1篇中航工业北京...

作者

  • 4篇王天民
  • 4篇张维佳
  • 2篇崔敏
  • 1篇望咏林
  • 1篇钟立志
  • 1篇沈玫
  • 1篇纪建超
  • 1篇吴小文
  • 1篇贺会权
  • 1篇颜悦
  • 1篇张官理
  • 1篇戎霭伦

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
ITO导电膜红外发射率理论研究被引量:5
2005年
根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indiumtinoxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合.并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能.讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.
张维佳王天民钟立志吴小文崔敏
关键词:红外发射率ITO薄膜方块电阻
有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究被引量:5
2006年
理论研究了有ITO(indiumtin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能,给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7·35mm的四层平面分层介质系统,其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜,其方块电阻应低于30Ω,并且越小,其反射性能越好.
张维佳王天民崔敏戎霭伦
关键词:电磁性能
ITO前驱物氢氧化铟In(OH)_3理论研究被引量:10
2004年
分析了铟锡氧化物IT0 (IndiumTinOxide)前驱体氢氧化铟In(OH) 3的结构 ,理论计算了其马德隆常数和晶格能 ,其值分别为 2 94 88和 - 5 0 95 2 1kJ mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式 ,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH) 3纳米粉末时的晶核形成参数 ,In(OH) 3晶核生长初期的生长率约为 0 0 1 2nm s.
张维佳王天民
关键词:纳米粉末表面自由能马德隆常数
离子束辅助磁控溅射低温沉积ITO透明导电薄膜的研究被引量:4
2006年
本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。
望咏林颜悦沈玫贺会权纪建超张官理
关键词:离子束辅助沉积磁控溅射ITO透明导电薄膜
复杂离子晶体马德隆常数研究被引量:9
2005年
以电中性的平行六面体晶胞为计算单元建立了一种马德隆常数计算公式 ,并按围绕参考晶胞的壳层数N且以参考晶胞体心为原点计算离子晶体的马德隆常数α(N) ,第一壳层有 2 6个晶胞 ,第二、第三、…第N壳层分别有98,2 18,… ,2 4N2 +2个晶胞 ,α(N)是收敛很快的级数并且很容易计算 .计算了几种复杂离子晶体马德隆常数和相应的马德隆能 (静电相互作用能 ) .
张维佳王天民
关键词:离子晶体晶胞级数平行六面体
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