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不同势下铱团簇结构和熔化行为的分子动力学模拟被引量：15: 2009年; 采用分子动力学方法及淬火技术,结合Gupta势和Sutton-Chen势,模拟研究了包含13,14,55,56,147及148个原子数的铱团簇的熔化行为.结果表明,Gupta势和Sutton-Chen势对所研究的Ir团簇的基态几何结构和熔化行为给出了基本一致的描述:两种不同势给出了完全相同的基态几何结构;两种势给出的Ir团簇熔点及预熔化区间随团簇尺寸的变化关系基本一致;对于小Irn团簇(n=13,14)两类势均表现出比热峰值相对于均方根键长涨落饱和值滞后的现象.但是,包含相同原子数的Ir团簇在Gupta势下的熔点均高于在Sutton-Chen势下的熔点,出现该区别的主要原因是Gupta势所给出的包含相同原子数的Ir团簇基态与第一激发态的能量差均高于在Sutton-Chen势下的相应值.; 刘建廷段海明; 关键词：分子动力学熔化

遗传算法结合不同势研究Ir_n(n=2-60)团簇结构特性被引量：5: 2008年; 采用Gupta势和Sutton-Chen势结合遗传算法系统地研究了Irn（n=2-60）团簇的基态结构特性．结果表明：在所讨论的尺寸范围内，n≥4时Gupta势比Sutton-Chen势描述的铱团簇的平均束缚能稍高；n=2～60间，大部分Ir团簇在两种势下具有相同的几何结构，在，n=22、29、35、37时两种势描述的团簇对称性不同．两类势都表明：在铱团簇的生长中，存在类Ih构型、类fcc构型和类十五面体构型之间的竞争；总体上，铱团簇的平均束缚能、平均近邻原子间距及平均配住数均随原子数目的增加而增大．两种势所描述的铱团簇具有相同的幻数序列（13、19、23、38和55）．; 刘爱霞段海明; 关键词：遗传算法 GUPTA势

Local electronic structure and magnetic properties of (Ga,Cr)N被引量：3: 2006年; The local electronic structure and mag- netic properties of diluted magnetic semiconductor (Ga,Cr)N have been studied by using discrete varia- tional method (DVM) based on density functional theory. The magnetic moments per Cr atom vary significantly with Cr concentration, and the trend of variation is in agreement with that of the experiment. The coupling between Cr atoms in the system with two Cr atoms considered is found to be ferromagnetic, and the magnetic moment per Cr atom is similar to the case in which only one Cr atom is considered in the same doping concentration. For all doping con- centrations, the coupling between Cr and the nearest neighbor N is found to be antiferromagnetic, and the Cr 3d states hybridize strongly with N 2p states, which are in agreement with the band calculations.; LIN He DUAN Haiming; 关键词：稀磁性半导体密度功能理论

GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性被引量：2: 2006年; 运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验结果吻合．在包含两个Cr原子的体系中,Cr原子之间是铁磁性偶合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近．对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这与晶体的能带计算方法得到的结果一致．; 蔺何段海明; 关键词：稀磁半导体密度泛函理论第一性原理计算电子结构

遗传算法研究Ptn(n=2-57)团簇的基态结构特性被引量：8: 2008年; 采用紧束缚势结合遗传算法系统的研究了Ptn（n=2～57）团簇的基态结构特性．结果表明：在铂团簇的生长中除类二十面体结构外，还存在类十五面体和类fcc构型与之竞争．通过讨论团簇的平均束缚能Eb、二阶差分能△2E（n）和剩余能△E（n），发现铂团簇平均束缚能随原子数目的增加而增大，n为13、22、24、30、38、48和54为其幻数序列．; 尹红梅段海明赵新军; 关键词：遗传算法

Fe_nCo和Fe_nNi(n≤5)小团簇的密度泛函理论研究(英文): 2009年; 用密度泛函理论研究了小团簇Fe_nCo和Fe_nNi(n≤5)的基态几何结构、电子特性和磁性.发现Fe_4Ni团簇具有幻数结构,而对于Fe_nCo团簇没有发现幻数结构.所有这些团簇呈铁磁性而且其自旋磁矩都大于对应块体的磁矩.一般认为团簇的磁矩受几何结构影响很大,然而这些小团簇的自旋磁矩对结构不敏感,我们认为出现这种奇特现象的主要原因是当结构变化时自旋向上和自旋向下的最高占据态对应能级高低序列保持不变.; 黄春林段海明; 关键词：密度泛函理论团簇

A_nC_2(A=Fe,Co,Ni,Cu)团簇的密度泛函研究(英文)被引量：2: 2008年; 采用平面波基矢及超软赝势使用密度泛函理论方法详细地研究了AnC2(A=Fe,Co,Ni,Cu,n=1-3)团簇的几何结构,结合能和磁性.对双原子分子团簇(A2及AC)所得结果与以往的实验和计算结果基本一致.除了Fe3C2和Co3C2的基态几何结构是三角双锥之外,其他混合团簇的基态几何结构都是平面构型.计算结果表明,加入碳原子会增加An团簇的稳定性,在AnC2团簇中,An(A=Fe,Co,Ni)与C2的相互作用相比Cun和C2的相互作用要强.; 曹彪炳段海明; 关键词：过渡金属团簇密度泛函理论

Fe_(55)团簇预熔化的分子动力学研究: 2006年; 本文运用分子动力学模拟小尺寸铁团簇在熔点附近的预熔化现象,根据均方根键长涨落判断出预熔化现象发生的温度区间并讨论在此温度区间内能量和结构的关系.结果表明,在团簇体系预熔化过程中,表面原子是先于内部熔化,随着温度的增加,两部分原子在熔点附近相互扩散,趋于无序并最终完全熔化.; 陈楚段海明张军; 关键词：分子动力学模拟

分子动力学结合不同势研究Ir团簇熔化性质: 2008年; 采用Gupta势和Sutton-Chen势运用分子动力学方法研究了Irn(n=13,14,55,56,147)团簇的熔化行为.结果表明:对于所研究尺寸团簇,两种不同势给出了完全相同的基态几何结构.两种势给出的铱团簇熔点随团簇尺寸的变化关系基本一致、预熔化温度区间随团簇尺寸的变化关系完全一致.对于小团簇(Ir13、Ir14)两类势均表现出比热峰值相对于均方根键长涨落滞后的现象.; 邱宇段海明; 关键词：团簇熔化分子动力学

GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性被引量：3: 2008年; 运用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小(按Sc-Ni排列),当Mn被掺杂到GaAs后,磁矩达到极大,且Mn的磁矩在掺杂浓度为1.4%时与实验符合得很好.在包含两个掺杂原子的体系中,掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化.对于不同的掺杂元素,掺杂原子和最近邻的As原子之间的耦合形式也有不同的变化.; 蔺何段海明; 关键词：稀磁半导体密度泛函理论电子结构

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