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天津市自然科学基金(10JCYBJC01000)
作品数:
1
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相关作者:
刘锋
韩焕鹏
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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Si_(1-x)Ge_x单晶用热系统改进
2013年
阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-x Gex单晶生长的过程。借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况,并通过分析发现了原有热系统的不足。重新对原热系统进行了改造,添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置,使原来的敞开式热场变为密闭式热场,满足了Si1-x Gex单晶拉制的要求。通过具体实验和数值模拟结合,分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响,发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题。
韩焕鹏
刘锋
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数值模拟
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