国家杰出青年科学基金(50425028)
- 作品数：5 被引量：30H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 稀释气体流量对低压化学气相沉积硼掺碳涂层的影响被引量：1
- 2008年
- 以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转变,硼元素含量稍有减少而碳元素含量稍有增加。沉积产物中B元素的键合方式以B-sub-C和BC2O为主。结合化学反应和气体扩散,探讨了稀释气体的作用机制,表明PyC形成反应的主导作用导致稀释气体流量对沉积速度作用不明显,而BCl3和C3H6在Ar气中扩散系数的差异导致产物形貌和组成发生变化。
- 涂建勇刘永胜成来飞张立同杨文彬徐永东张伟华
- 低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征被引量：10
- 2007年
- 以 BCl3和 C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于 1 100 ℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜。采用扫描电镜、X 射线衍射和 X 射线光电子能谱对样品作了表征。结果表明:产物表面光滑,断面呈细密的片层状结构,产物由 B4C 和石墨化程度较高的热解碳组成。采用掺硼碳薄膜中含有 15%(摩尔分数,下同)硼。硼原子化学键结合状态共有 5 种,分别是:B4C 的中的 B—C键,硼原子替代固溶在类石墨结构中形成的 B—C键,BC2O 和 BCO2结构中 B—C键和 B—O键的混合态,以及 B2O3中的 B—O键。其中超过 40%的硼原子以替代固溶的形式存在于热解碳的类石墨结构中。
- 杨文彬张立同成来飞徐永东刘永胜
- 关键词：片层结构X射线光电子能谱X射线衍射
- 丙烯化学气相沉积热解碳的动力学研究被引量：8
- 2008年
- 以丙烯为碳源,利用磁悬浮天平热重系统研究了化学气相沉积热解碳的原位动力学,采用气质联用仪对热解气相冷凝物进行了定性和半定量分析.结果表明:当稀释比为4,总压力为6kPa,丙烯流量为20sccm时,丙烯在850～1100℃之间的热解反应表观活化能为(201.9±0.6)kJ/mol,沉积过程为气相均相反应控制,高温时冷凝物以单环芳烃为主,低温时主要为双环和多环芳烃;在900和1000℃下,丙烯分压在0.3～6.5kPa范围内的热解为一级反应;由于受有效反应时间和丙烯通量的共同作用,沉积速率随滞留时间的延长先增大后减小,在900℃下滞留时间为0.6s时出现最大值.
- 赵春年成来飞张立同徐永东卢翠英叶昉
- 关键词：热解碳丙烯化学气相沉积GC-MS
- C/SiC复合材料表面Si-C-B自愈合涂层的制备与抗氧化行为被引量：12
- 2008年
- 采用化学气相沉积法(CVD)制备单质B和BC_x分别对SiC涂层进行改性,在二维碳纤维增强碳化硅(2D C/SiC)复合材料表面制备SiC/B/SiC和SiC/BC_x/SiC两种多层自愈合涂层,并利用扫描电镜对多层涂层表面和断面进行显微分析.700℃静态空气条件下氧化结果表明:CVD-B和CVD-BC_x改性层氧化后生成的B_2O_3玻璃相可以较好地封填涂层微裂纹,氧化动力学受氧通过微裂纹和B_2O_3玻璃层的扩散共同控制;SiC/BC_x/SiC-C/SiC复合材料氧化过程中氧化失重率更小,氧化10h后的强度保持率更高.
- 张伟华成来飞张立同杨文彬刘永胜徐永东
- CH_3SiCl_3-BCl_3-H_2体系气相沉积的热力学计算被引量：1
- 2010年
- 利用FactSage software软件进行热力学计算,获得了CH3SiCl3(MTS)-BCl3-H2体系在化学气相沉积环境中Si-B-C陶瓷的热力学产物图和相图。讨论了在高温(900～1100℃)、低压(2 kPa、5 kPa和12 kPa)条件下系统总压、温度和反应气体比例等参数对主要产物产率的影响。结果表明,在所研究的参数范围内,系统总压、温度和气体比例对B4C相的产率影响比较明显,而对SiC相的产率影响不明显。气体比例对C相的产率影响比较明显,温度和系统总压对C相的产率影响不明显。各参数的变化对主要气态产物(BHx、CxHy、SiClx等)的产率有一定程度的影响。稀释气体分压的增加有利于富B相的生成,MTS分压的增加有利于SiC的生成。
- 左新章张立同刘永胜成来飞曾庆丰
- 关键词：热力学计算
