博士科研启动基金(E51080)
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- SILC效应机理及其对Flash Memory的影响
- 2011年
- 随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。
- 胡仕刚
- 关键词：MOSFET栅氧化层
- SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究
- 2011年
- 对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿;当注入空穴通过Si—O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加;当1个Si原子的2个Si—O键同时断裂时,将会导致Si—O网络不可恢复;Si—O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿。
- 胡仕刚吴笑峰席在芳
- 关键词：阈值电压栅氧化层MOS器件
- 直接隧穿栅电流对CMOS逻辑电路的影响
- 2011年
- 对于纳米级的CMOS电路,由于MOS器件具有超薄的氧化层,栅隧穿漏电流的存在严重地影响了电路的正常工作。本文基于可靠性理论和电路级仿真深入地研究直接隧穿电流对CMOS逻辑电路的影响。仿真结果很好地与理论分析相符合,这些理论和仿真将有助于以后的集成电路设计。
- 胡仕刚吴笑峰席在芳
- 关键词：直接隧穿MOSFET栅氧化层
- 超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究
- 2011年
- 理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.
- 胡仕刚吴笑峰席在芳
- 关键词：直接隧穿MOSFET栅氧化层
