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罗广礼

作品数：20 被引量：42H指数：5
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金面向21世纪教育振兴行动计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 5篇SIGE
  • 4篇UHV/CV...
  • 3篇异质结
  • 3篇锗化硅
  • 3篇自组织生长
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇XSI
  • 3篇GE量子点
  • 2篇电流比
  • 2篇电路
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇真空机组
  • 2篇势垒
  • 2篇隧穿
  • 2篇气路系统

机构

  • 17篇清华大学
  • 5篇中国科学院
  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 20篇罗广礼
  • 19篇陈培毅
  • 13篇钱佩信
  • 6篇黄文韬
  • 6篇黎晨
  • 5篇林惠旺
  • 4篇周均铭
  • 4篇刘志农
  • 4篇史进
  • 4篇王瑞忠
  • 3篇王燕
  • 2篇金晓军
  • 2篇梁聚宝
  • 2篇王民生
  • 2篇白玉琦
  • 2篇熊晨荣
  • 2篇陈必贤
  • 2篇贾宏勇
  • 2篇刘安生
  • 2篇朱培喻

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇激光与红外
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微电子学
  • 1篇第二届全国纳...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 7篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1997
  • 1篇1996
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
2002年
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
关键词：UHVCVDGE量子点
超高真空化学气相淀积外延系统
本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
文献传递
超高真空化学气相淀积外延系统
本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
文献传递
P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性被引量：2
1997年
本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼张镭郑康立周均铭
关键词：红外探测器长波长HIP
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
2001年
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。
朱培喻陈培毅黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信
关键词：SIGE合金UHV/CVD拉曼光谱分析半导体薄膜
一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET被引量：4
2001年
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge PMOSFET在栅压为 3.5 V时最大饱和跨导比用作对照的 Si PMOS提高约 2倍 ,而与常规的应变 Si
黎晨朱培喻罗广礼陈培毅钱佩信
关键词：CMOS锗化硅场效应晶体管
HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延被引量：4
2001年
研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm- 3的多层阶梯结构 ,各层掺杂浓度均匀 ,过渡区约 2 0 nm,在整个外延层 ,Ge组分 (x=0 .2 0 )均匀而稳定 .PH3掺杂外延速率随 PH3流量增加而逐渐下降 ;P浓度在 PH3流量约为 1.7sccm时达到了峰值 (约 6× 10 1 8cm- 3) .分别按 PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究 PH3掺杂
刘志农贾宏勇罗广礼陈培毅林惠旺钱佩信
关键词：硅锗化硅
基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J<,p>(峰值电流)=1.589kA/cm<'2>,对应的低温(77K)脉冲测试数据为P...
熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼
关键词：势垒峰谷电流比共振隧穿二极管
文献传递
P~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型
1997年
本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）长波红外探测器量子效率的解析模型．与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响．理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合．利用该模型可对ＧｅｘＳｉ１－ｘ层的最佳厚度进行估计，其结果与实验结果也是一致的．
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼周均铭
关键词：长波红外探测器锗硅合金量子效率
GeSi/Si异质结红外探测器及垂直入射AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器的研究
该文以提高性能、探求新的物理机制为目的,对P<'+>-Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结红外探测器和N-Al<,x>Ga<,1-x>/GaAs多量子阱红外探测器进行了一些研究.
罗广礼
关键词：异质结红外探测器
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共2页<12>
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