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顾鑫

作品数:38 被引量:11H指数:2
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程化学工程环境科学与工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 27篇专利
  • 6篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇电气工程
  • 6篇化学工程
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学

主题

  • 14篇电池
  • 14篇太阳电池
  • 13篇提纯
  • 12篇金属硅
  • 9篇去油
  • 6篇提纯工艺
  • 6篇硅片
  • 6篇硅太阳电池
  • 6篇
  • 6篇
  • 5篇氢氟酸
  • 5篇吸杂
  • 4篇提纯方法
  • 4篇外延层
  • 4篇金属
  • 4篇晶体
  • 4篇固溶
  • 4篇固溶度
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇硅晶

机构

  • 38篇浙江大学

作者

  • 38篇顾鑫
  • 33篇杨德仁
  • 26篇余学功
  • 5篇阙端麟
  • 4篇樊瑞新
  • 2篇叶浩挺
  • 2篇曾令胜
  • 2篇雷东
  • 2篇叶庆富
  • 2篇王伟
  • 2篇许敬琳
  • 1篇朱善安
  • 1篇汪雷
  • 1篇胡宏华
  • 1篇刘志平
  • 1篇陈子元
  • 1篇路景刚
  • 1篇张素芬
  • 1篇原帅
  • 1篇毛韬

传媒

  • 2篇核农学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇第八届中国太...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 10篇2011
  • 10篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅片的硼铝共吸杂方法
本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法,包括如下步骤:制备掺硼铝源,硅片清洗,利用镀膜技术在硅片表面形成硼铝层,一步或多步退火,硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点,在铝中掺入硼,利用铝和硅的合金化...
杨德仁樊瑞新顾鑫余学功
一种制备太阳级硅的方法
本发明涉及制备太阳级硅的方法,步骤如下:先用氮化硅或石英制作底部中心厚度大于边沿厚度,且从底部中心到边沿厚度平滑递减的舟状坩埚,在坩埚的内表面均匀地喷涂氮化硅层;然后将坩埚放入烧结炉中烧结;再向坩埚中放入硅料,通过严格控...
阙端麟顾鑫杨德仁
文献传递
太阳电池级多晶硅中杂质铝对太阳电池性能的影响
晶体硅太阳电池向着低成本高效率的方向发展。UMG 硅是一种可能被大规模应用的 廉价太阳级多晶硅材料。其相对普通多晶硅含有较多的杂质,其中一般有杂质铝。本文中通 过人为地在单晶中掺入杂质铝制备得到掺铝的硅单晶。通过研究发现...
顾鑫杨德仁余学功路景刚冯琰
关键词:晶体硅太阳电池电学性能
铸造类单晶的缺陷研究
铸造类单晶(又称:铸造准单晶)是近年来光伏产业关注的一种新材料。它既具有单晶的结构,从而具有高效光电转换的潜力;又采用定向凝固技术,具有低成本、大体积生产的潜力;其研究成为人们关注的重点,从2010 年起国内主要太阳能光...
杨德仁余学功顾鑫
关键词:硅单晶
土壤中红霉素结合残留在菜心中生物有效性研究被引量:2
2020年
为探究土壤环境中红霉素污染的生物风险,本试验采用14C示踪技术,选取广东菜心为代表,研究红霉素结合残留的释放、转化及生物有效性,并探讨添加外源有机肥(如鸡粪、活性淤泥)对该过程的影响。结果表明,土壤中红霉素结合残留随着时间推移逐渐释放,在培养45 d时下降至引入量的59.83%,其中15.00%转化为可提态残留;植物根系的吸收和扰动能促进红霉素结合残留的释放和转化(P<0.05);土壤中的红霉素结合残留能够被广东菜心根部吸收并转运至可食部分,转运系数为0.34,表明红霉素结合残留在菜心体内不易向上运输;放射性自显影图片显示,被植物吸收的14C-红霉素及其放射性衍生物主要集中在叶片和根部;外源添加有机肥(鸡粪和活性淤泥)处理,一方面可抑制结合残留的释放,增加富啡酸中红霉素结合残留的含量(P<0.05),导致土壤中红霉素污染更持久,另一方面可促进植物对土壤中红霉素残留的吸收;腐殖质分级结果显示,红霉素结合残留主要集中在富啡酸中(87.92%~97.21%),并随着时间推移不断释放。本研究结果为科学评价红霉素的生态安全提供了理论支持。
顾鑫余凯翔胡宏华陈子元叶庆富王伟
关键词:生物有效性
一种太阳电池硅片的表面织构方法
本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法,包括如下步骤:利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液;去除硅片表面损伤层,并对硅片进行预织构;将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上,干燥;将得到的硅片浸泡在由...
杨德仁顾鑫余学功
一种硅铝合金的制备方法
本发明公开的硅铝合金的制备方法,步骤如下:将粒径分别为0.05mm~10mm金属硅与金属铝去油、清洁、烘干后,按质量比金属硅∶金属铝=1∶0.5~1∶2.5混合均匀,压制成固体混合物,然后放入加热炉中,先加热至300~6...
杨德仁顾鑫阙端麟
文献传递
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法
本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液,在硅太阳电池片迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液,烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全,在保护气体氛...
余学功顾鑫杨德仁许敬琳雷东曾令胜叶浩挺
铸造多晶硅边缘低少子寿命区域成因研究
姜婷婷余学功郭宽新汪雷顾鑫杨德仁
一种太阳电池硅片的表面织构方法
本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法,包括如下步骤:利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液;去除硅片表面损伤层,并对硅片进行预织构;将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上,干燥;将得到的硅片浸泡在由...
杨德仁顾鑫余学功
文献传递
共4页<1234>
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