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邹赫麟

作品数:68 被引量:20H指数:2
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 47篇专利
  • 20篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇天文地球
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 16篇光刻
  • 12篇键合
  • 9篇喷孔
  • 9篇喷墨
  • 8篇刻蚀
  • 7篇热压印
  • 7篇光刻胶
  • 7篇反应离子
  • 7篇打印头
  • 6篇乙酰
  • 6篇乙酰丙酮
  • 6篇喷头
  • 6篇钛酸
  • 6篇钛酸四丁酯
  • 6篇酰胺
  • 6篇甲酰胺
  • 6篇光刻工艺
  • 6篇电系统
  • 5篇掩蔽层
  • 5篇振动板

机构

  • 67篇大连理工大学
  • 5篇珠海纳思达企...
  • 3篇珠海赛纳三维...
  • 1篇大连海事大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 67篇邹赫麟
  • 7篇殷志富
  • 5篇魏希文
  • 4篇李建军
  • 4篇孙蕾
  • 3篇李克洪
  • 3篇程娥
  • 3篇张帅
  • 3篇杨志峰
  • 2篇王兴
  • 2篇何敬志
  • 2篇许文才
  • 2篇安志奇
  • 2篇何宇亮
  • 2篇高帅
  • 2篇陈达
  • 2篇伊茂聪
  • 2篇冯建波
  • 2篇郭冉
  • 1篇卢学坤

传媒

  • 8篇机电技术
  • 3篇大连理工大学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇材料科学
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇机电工程技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1992
68 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米硅薄膜低温光致发光被引量:1
1998年
以高氢稀释硅烷为反应气源,用PECVD方法淀积了nc-Si:H薄膜。未经任何后处理过程,在低温77K下观察到光致发光,并对薄膜样品进行了Raman散射,红外吸收谱,氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc-Si:H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。
窦红飞李建军魏希文邹赫麟何宇亮刘明
关键词:纳米硅薄膜光致发光等离子体
液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置
本发明提供一种液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置,其中方法包括在基板上表面依次层叠振动板、下电极和压电陶瓷薄膜层,以形成衬底;通过光刻工艺在所述压电陶瓷薄膜层上表面形成多个间隔的光刻胶层,该光刻胶层的纵向截面的上部宽且...
邹赫麟陈晓坤佟鑫李越
文献传递
一种用于MEMS器件制作的对准键合装置
本发明属于对准键合技术领域,涉及一种用于MEMS器件制作的对准键合装置。该装置包括底座、主二维式移动平台、支撑架、副三维式移动平台、调平组件、旋转组件和CCD观测组件;底座上设有支架,支架可拆卸安装CCD观测组件;主二维...
邹赫麟豆姣伊茂聪王上飞陈达
一种带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针制造方法
一种制备带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针的热压印-紫外曝光制造方法,采用两次PDMS浇注和氧等离子体处理方法,制造出镶嵌掩膜胶片的微纳复合尺度PDMS模具。然后在硅片上光刻出BP212牺牲层,蒸镀一层Al作为...
邹赫麟殷志富孙蕾
压电振动板弯曲振动特性研究被引量:2
2022年
压电振动板是压电喷墨打印头的核心结构之一,压电振动板的弯曲振动特性将直接影响压电式喷墨打印头的各项性能。文章基于MEMS工艺设计制作了一种压电振动板结构,该结构通过释放PZT压电层部分固定约束来达到增加振动幅度的目的。建立了压电振动板弯曲振动理论模型;利用激光多普勒测振装置对不同结构参数的压电振动板振动幅度进行测量,研究分析了压电振动板不同结构参数对压电振动板振动幅度的影响。
杨志峰李克洪张帅邹赫麟
关键词:MEMS
利用双层胶方法去除负性光刻胶残胶效果研究
2018年
提出了一种双层胶工艺去除表面残胶的新方法,即以正性光刻胶为底层胶膜、负性光刻胶为顶层胶膜,能有效地去除基底残胶。研究了正性光刻胶粘度和厚度对平均残胶量的影响,实验表明:转速为3000 r/min、厚度为1.36μm旋涂的低粘度正胶AZ703对去胶有明显效果;研究了底层胶膜缩进距离d和图形完整性的关系,实验表明:当底层胶膜缩进距离d达到8μm时,图案完整,且使顶层胶膜与基底接触面积最小化,达到进一步减少残胶的效果。
黎晨王秋森王兴王上飞邹赫麟
关键词:粘度厚度
基于SU-8胶的电喷雾离子聚焦电极的制作方法
本发明属于微机电系统(MEMS)领域,涉及一种基于SU-8胶的电喷雾离子聚焦电极的制作方法。其特征是利用微加工方法制作三层SU-8结构,采用传统紫外光刻技术,结合三次曝光、一次显影技术和常规蒸发镀膜技术制作带有特殊孔结构...
邹赫麟李进
文献传递
一种PDMS掩蔽技术制备硅槽的方法
本发明属于半导体制造工艺领域,涉及一种PDMS掩蔽技术制备硅槽的方法。步骤包括:制备具有PDMS掩蔽层的硅片基底、刻蚀硅槽和去除掩蔽层;在硅片基底的正面旋涂光敏PDMS,采用掩膜进行间隙曝光,后烘固化,光敏PDMS未曝光...
邹赫麟王秋森黎晨杨正
文献传递
电喷雾两级气体辅助聚集装置
本发明属于电喷雾质谱技术领域,涉及一种用于电喷雾样品离子的气体辅助聚集装置领域。电喷雾两级气体辅助聚集装置,主要包括第一级装置和第二级装置,其中第一级装置包括一级进气口、一级狭缝、一级曲面、一级出气口,第二级装置包括二级...
邹赫麟安志奇何敬志
文献传递
具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜及制备方法和应用
本发明提供一种具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜及制备方法和应用。本发明的具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜的制备方法,包括如下顺序进行的步骤:在具有PDMS层的基底上涂覆SU‑8光刻胶,前烘;采用掩膜进行间隙曝光,后烘,使...
邹赫麟冯建波周毅伊茂聪魏宏芳
共7页<1234567>
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