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吴冲若

作品数：82 被引量：204H指数：7
供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 75篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 36篇电子电信
  • 19篇理学
  • 15篇一般工业技术
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇化学工程
  • 4篇电气工程
  • 3篇机械工程

主题

  • 12篇气敏
  • 9篇电阻
  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 8篇热敏电阻
  • 7篇水热
  • 7篇半导体
  • 6篇氧化锡
  • 6篇正温度系数
  • 6篇水热法
  • 6篇气敏元件
  • 6篇热法
  • 6篇PTCR
  • 6篇SNO
  • 5篇钛酸
  • 5篇钛酸钡
  • 5篇钛酸铅
  • 5篇毛细管
  • 5篇毛细管区带

机构

  • 82篇东南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 82篇吴冲若
  • 27篇李永祥
  • 21篇林海安
  • 12篇樊玉薇
  • 9篇刘泽
  • 7篇孙平
  • 7篇马爱芬
  • 6篇印燕
  • 5篇陈后胜
  • 5篇陈章其
  • 3篇贾连娣
  • 3篇陆士强
  • 2篇王茂祥
  • 2篇路晖
  • 2篇刘刚
  • 2篇孙彤
  • 2篇马骏
  • 1篇张根柱
  • 1篇周刚
  • 1篇孙承休

传媒

  • 12篇电子器件
  • 9篇真空科学与技...
  • 9篇传感技术学报
  • 7篇东南大学学报...
  • 7篇微细加工技术
  • 5篇电子元件与材...
  • 4篇传感器技术
  • 3篇功能材料
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇第二届全国敏...
  • 3篇中国真空学会...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇电子科学学刊
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇郑州轻工业学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇真空
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇真空与低温

年份

  • 1篇2000
  • 6篇1999
  • 18篇1998
  • 3篇1997
  • 9篇1996
  • 11篇1995
  • 15篇1994
  • 13篇1993
  • 1篇1992
  • 4篇1991
  • 1篇1990
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
钛酸铅热力学及其铁电相变的研究被引量：4
1996年
在不同的边界条件下，考虑到钛酸铅的晶粒界面能和表面自由能，利用广义的Ｃｌａｕｓｉｕｓ－Ｃｌａｐｅｙｒｏｎ关系式以及Ｌａｎｄａｕ－Ｇｉｎｓｂｕｒｇ－Ｄｅｖｏｎｓｈｉｒｅ热力学方程，求得了在不同受力状态、薄膜厚度及超微粒子的晶粒尺寸与自发极化强度和铁电相变温度之间的关系，理论分析能够很好地解释实验现象。综合文献的报道，对钛酸铅的铁电物性给予了全面的总结。
李永祥孙平吴冲若
关键词：钛酸铅热力学铁电相变铁电体
聚合物复合型PTCR材料的改性研究被引量：3
1994年
聚合物复合型ＰＴＣＲ材料的改性研究李永祥，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）近年来，有关聚合物复合型ＰＴＣＲ材料的研究引起了广泛的兴趣［１～４］．常见的研究对象是碳黑－聚乙烯复合体系，其主要优点是工艺简单、易成型、室温电阻低等。从应用角度...
李永祥吴冲若
关键词：高聚物电性能复合材料非金属
半导体Ｑ－粒子及其纳米相复合功能材料研究
李永祥吴冲若
关键词：复合材料半导体材料功能材料
微机电系统（ＭＥＭＳ）
吴冲若
关键词：大规模集成电路
陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究
1996年
陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...
樊玉薇贾连娣吴冲若
关键词：陶瓷热敏电阻氢处理降阻正温度系数PTCR
二维应力对PbTiO_3多晶薄膜相变的影响
1995年
用热力学唯象埋论研究了二维应力对PbTiO3多晶铁电薄膜相转变的影响。理论分析表明，在二维应力的作用下，薄膜的相转变温度Tc将发生移动，该移动量△T的大小和正负不仅与应力的性质有关，而且与晶粒的取向有关。经推导给出了△T与晶粒取向之间的关系式。对晶粒呈随机取向的多晶薄膜，在二维张应力的作用下，平均Tc将向高温移动，并且相转变温区将展宽。
孙平吴冲若李永祥
关键词：相变多晶薄膜
高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷被引量：1
1997年
采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×１０４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０－２，绝缘电阻率ρ＞１０１０Ω·ｃｍ．
陈章其汪云华吴冲若
关键词：半导体陶瓷晶界层电容器
P-N结自致停精密腐蚀的研究被引量：2
1991年
本文系统地研究了p-n结自致停精密腐蚀时的J-V特性,腐蚀自致停时电流变化的性状和实现这种精密腐蚀的关键工艺,同时也探讨了这种自致停腐蚀样品表面粗糙度、腐蚀速率与工艺参数及其他条件的关系,目的在使其能成为一种实用化的技术。 p-n结自致停腐蚀克服了p^(+)自致停腐蚀的缺点,且又保持了硅各向异性腐蚀的特性。
吴冲若
关键词：P-N结表面粗糙度腐蚀速率工艺参数
全文增补中
新型电子材料——沸石分子筛被引量：3
1996年
介绍了沸石分子筛在化学传感器、纳米组装复合材料、光电材料和器件设计等方面的研究工作,以及超大晶体和超大孔径沸石分子筛合成的进展.这类新型电子材料的新效应、新原理和新器件的设计研究将对理论和实践产生重大而深远的影响.
李永祥马爱芬吴冲若
关键词：沸石分子筛纳米复合材料电子材料
LB绝缘膜在微电子技术中的应用
1992年
本文研究了半导体技术中绝缘介质膜的发展趋势和LB绝缘膜/半导体结构的最新进展。在有机/无机兼容的前提下,阐述了LB绝缘膜在微电子领域中最有吸引力的方向。
林海安吴冲若
关键词：半导体金属微电子技术
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