温淑敏
- 作品数：24 被引量：28H指数：3
- 供职机构：内蒙古工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 压力对有限深量子阱中基态能的影响
- 2007年
- 考虑电子有效质量及禁带宽度随流体静压力的变化,讨论有限深量子阱中电子的基态能.对GaAs/ALxGa1-xAs量子阱系统中电子的基态能进行了数值计算,给出基态能随铝组份,阱宽和压力的变化关系.结果显示,基态能随阱宽和压力的增加而减小,随铝组份增加而增大。
- 温淑敏
- 关键词：基态能
- 应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响被引量：2
- 2020年
- 使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%^-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.
- 温淑敏姚世伟赵春旺王细军李继军
- 关键词：氮化镓电子结构光学性质第一性原理
- 压力及屏蔽对无限深量子阱中施主结合能的影响
- 2012年
- 对GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统,考虑压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算这两种系统中的杂质态结合能。给出了结合能随阱宽和压力的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别。结果表明,结合能随压力增大而增大,随阱宽增大而减小;屏蔽效应随着压力的增加而增加,并且显著降低了杂质态的结合能。
- 刘贺温淑敏赵春旺哈斯花
- 关键词：屏蔽结合能
- 外电场对压力下有限深量子阱中杂质态结合能的影响
- 2009年
- 考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结合能随电场强度增加或减少既依赖于杂质位置的不同又依赖于阱宽的不同,电场强度对杂质态的结合能影响也与压力及屏蔽有关.
- 温淑敏
- 关键词：屏蔽杂质态结合能外电场
- 硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性
- 2016年
- 为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数。结果表明,退火后的薄膜质量明显提高。退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615~3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍。
- 温淑敏赵春旺王细军李继军侯清玉
- 关键词：红外吸收谱载流子浓度迁移率电导率
- 大学物理多元化教学模式探索被引量：1
- 2021年
- 新冠肺炎疫情防控期间,教育部提出了“停课不停教、停课不停学”的要求。按照教育部要求,为降低疫情对教学的影响,高校也采取了相应的措施。作者以大学物理课程教学为例,针对大学物理线上教学工作面临的问题,采取了相应解决方案,把取得的成效应用于后疫情时代及今后的教学中。该文就如何将网络课堂和传统课堂的优势互补,打造更为多元化的教学模式,不断提升教学效果进行论述。
- 温淑敏
- 关键词：大学物理教学线上教学教学研究多元化教学模式
- 屏蔽的目的及方法被引量：2
- 2008年
- 随着电子产品的广泛应用电磁环境污染在加重,屏蔽技术的研究变得越来越重要。据此,本文讨论了电场屏蔽、磁场屏蔽、电磁屏蔽的目的及屏蔽的方法。
- 温淑敏王细军
- 关键词：磁屏蔽电磁屏蔽
- 课程思政和创新能力培养在光学课程的有机融合
- 2024年
- 光学是应用物理专业的专业基础课程,在光学课程中融入课程思政并对学生进行创新思维和创新能力的训练对应用物理专业人才培养具有重要的作用。课程通过大国工匠、科学家精神、学科前沿等内容的引入,激发学生的学习兴趣、报国情怀,培养学生的创新意识、科学思维与科学精神,塑造学生正确的价值观。光学创新实践教学的开展培养了学生的创新思维,训练了学生的创新实践能力,取得了良好的教学效果。
- 温淑敏丰秀蓉薛忠贤
- 关键词：光学
- 锗锡浓度对硅锗锡合金性能影响的研究
- 2025年
- 由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,并且其结构具有较高的热力学稳定性,所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法,构建并计算了本征半导体Si_(96)与五组掺杂模型Si_(92)Ge_(2)Sn_(2)、Si_(88)Ge_(4)Sn_(4)、Si_(84)Ge_(6)Sn_(6)、Si_(80)Ge_(8)Sn_(8)、Si_(76)Ge_(10)Sn_(10)的电子结构及光学性质.通过对计算结果的分析可知,Ge,Sn的加入使得Si材料的带隙宽度减小,并且发生了由间接带隙向直接带隙的转变;Ge,Sn浓度最高的SiGeSn合金的形成能相对较高,稳定性相较于Ge,Sn含量低的材料较差;随着Ge,Sn掺杂浓度的提高,电子态密度图显示出越来越明显的杂化现象,并且态密度的峰值主要有Si原子的s轨道提供;Ge,Sn浓度的提高还使得SiGeSn合金的吸收系数在可见光及近红外区域内增加、反射率在可见光及以上波段范围内提高、折射率变低、消光系数曲线向红外区域移动等光学性质变化,表明可以通过调节Ge,Sn浓度来获得合适的光学特性,这为SiGeSn半导体在红外区域光电材料和器件的应用上提供了研究方向.
- 顾永顺温淑敏
- 关键词：电子特性光学性质
- 多媒体技术在大学物理教学中的运用被引量：3
- 2008年
- 多媒体教学与传统教学相比具有无可比拟的优点,同时也存在一些固有的缺陷。在大学物理教学中,应合理利用多媒体课件,做到两种教学手段互补,教学仍以教师为主导学生为主体,要控制好教学节奏等。
- 温淑敏
- 关键词：物理教学多媒体教学教学效果
