公共文化服务平台

邓旭光: 作品数：46 被引量：44H指数：4; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学建筑科学金属学及工艺更多>>

合作作者

氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法: 本发明公开了一种氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述的氧化镓垂直结构半导体电子器件包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有经离子注入的方式处理形成的电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅...; 张晓东李军帅张丽邓旭光范亚明张宝顺

一种增强型HEMT器件结构及其制备方法: 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构及其制备方法。所述制备方法包括：在第一半导体层上设置掩膜，以将所述第一半导体层表面的第一区域遮盖，并使所述第一半导体层表面的第二区域露出，所述第一区域包含与源极、漏极及栅极对应的区域...; 陈财蔡勇张宝顺邓旭光张丽林文魁

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展被引量：8: 2022年; 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_(g)、提高电阻R_(g)抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。; 冯家驹范亚明房丹邓旭光邓旭光于国浩张宝顺; 关键词：氮化镓功率电子器件封装技术高电子迁移率晶体管金刚石

基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为Alx<...; 徐峰于国浩李军帅邓旭光张丽宋亮范亚明张宝顺

短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用: 本发明公开了一种短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用。所述P型层材料具有AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格...; 徐峰于国浩邓旭光张丽张宝顺

ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响: 2022年; 采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了ScAlN薄膜。以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了GaN薄膜。使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN缓冲层和GaN外延层的影响。研究结果表明,ScAlN缓冲层的厚度是影响GaN薄膜晶体质量的重要因素。随着ScAlN厚度的增加,ScAlN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽持续减小,GaN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽先减小后增大。当ScAlN缓冲层厚度为500 nm时,得到的GaN晶体质量最好,其中GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半高宽为0.38°,由拉曼光谱计算得到的张应力为398.38 MPa。; 尹浩田丁广玉韩军邢艳辉邓旭光; 关键词：氮化镓磁控溅射

基于开放建筑理论的绿色住宅设计策略研究: 住宅建设仍是我国当前最受关注的民生问题和城镇建设的主要工作。近年来，随着节能减排的呼声日益高涨以及不容乐观的环境形势，绿色节能的理念在住宅设计中越来越受到重视。人们对住宅的要求已经从过去满足基本功能转向对住宅在居住品质、...; 邓旭光; 关键词：开放建筑绿色住宅生态效应

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法: 本发明属于半导体技术领域，尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构，其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层以...; 邓旭光张宝顺蔡勇范亚明付凯于国浩张志利孙世闯宋亮

微波功率和反应腔室压强对MPCVD生长AlN薄膜质量的影响: 2023年; 研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响。采用高温MPCVD法,以N2为氮源,三甲基铝(TMAl)为铝源,在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长。在不同微波功率和不同反应腔室压强下,外延生长了AlN薄膜样品。生长样品的测试结果表明,在微波功率为4500 W时,样品(002)面X射线摇摆曲线(XRC)半高全宽(FWHM)为217 arcsec。在反应腔室压强为130 Torr(1 Torr=133.3 Pa)时,样品(002)面XRC的FWHM为216 arcsec。该研究将为以后AlN材料的MPCVD生长提供一些参考。; 李嘉豪丁广玉韩军邢艳辉邓旭光张尧马晓辉; 关键词：ALN SIC衬底

GaN MISHEMT器件及其制作方法: 本发明公开了一种GaN MISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维...; 于子呈张丽周鑫徐坤邓旭光范亚明张宝顺