高学邦
- 作品数：90 被引量：152H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 微波功率电路的热电耦合CAD研究被引量：1
- 1998年
- 本文提出了一种新的方法用于微波功率电路的热电一体化设计。该方法是谐波平衡技术的扩展，其特点是能够同时模拟功率电路的电性能和电路中有源器件的结温，并具有很好的计算效率，该方法已实现在通用微波４卜线性模拟软件中。一个Ｃ波段功率放大器的模拟和测量结果的比较证实了本文方法较传统的电学ＣＡＤ方法更为精确和全面。
- 高学邦高建军吴洪江蒋敬旗
- 关键词：热电耦合谐波平衡CAD
- 微波衰减器测试方法
- 本标准规定了微波衰减器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波固定衰减器、微波可调衰减器相关电参数测试。
- 樊渝静亚薇高学邦王国全刘会东李富强崔波陈海蓉
- 26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制被引量：2
- 2019年
- 研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺进行了流片,芯片面积为3.0 mm×2.5 mm。芯片装配后测试表明,在频率为24.5～26.0 GHz内,Doherty MMIC功率放大器饱和输出功率为4 W,饱和时漏极效率大于24%,在回退8 dB时的漏极效率大于15%。
- 董毅敏蔡道民高学邦邬佳晟汪江涛谭仁超
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
- 方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
- 文献传递
- 功率放大装置和微波电路
- 本发明涉及放大器技术领域，提供了功率放大装置和微波电路。该功率放大装置包括：输入子电路包含功分器、主功率放大单元输入匹配网络、辅助功率放大单元输入匹配网络、第一等效网络，功分器将第一输入端接收到的功率信号分成至少两路功率...
- 汪江涛蔡道民董毅敏高学邦
- 文献传递
- MESFET和PHEMT大信号建模被引量：8
- 2000年
- 分析了 MESFET和 PHEMT大信号建模的现状 ,提出了在 DC和脉冲两种状态下通用于 MESFET和 PHEMT的精确 I-V模型 ;提出了具有二维 C-V模型精度的一维C-V模型和负载线 S参数测量提取方法 ;提出了采用改进 Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出的模型精确地模拟了器件的 DC I-V、脉冲 I-V、偏置相关 S参数、 C-V特性和电路的功率、增益、效率以及线性特性 ,并用几个实例证实了其精度和通用性。
- 高学邦
- 关键词：信号MESFETPHEMT
- 一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器被引量：5
- 2016年
- 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。
- 谢媛媛陈凤霞高学邦
- 关键词：超小型数字衰减器PHEMT
- GaAs MESFET开关模型的研究被引量：12
- 2000年
- 讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。
- 高学邦杜红彦王小旭赵静王同祥韩丽华高翠琢
- 关键词：砷化镓MESFET开关模型场效应管
- 8毫米GaAs功率单片集成电路
- 1997年
- 介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
- 张慕义张玉清高学邦王勇李岚
- 关键词：毫米波砷化镓单片集成电路
- 10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路
- 1997年
- 介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10～11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。
- 张玉清张慕义高学邦李岚王勇孙先花
- 关键词：砷化镓单片集成电路
