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张晋新: 作品数：18 被引量：35H指数：4; 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程环境科学与工程更多>>

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不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究被引量：5: 2014年; 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.; 张晋新贺朝会郭红霞唐杜熊涔李培王信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应

重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟被引量：10: 2013年; 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGeHBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.; 张晋新郭红霞郭旗文林崔江维席善斌王信邓伟; 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集

不同剂量率下SOI NMOS瞬时辐照效应数值仿真: 采用Sentaurus TCAD 构建了SOI NMOS 的二维模型，研究了总剂量相同而剂量率不同条件下器件的电学响应。分析了γ辐照效应的损伤机理，数值模拟了漏电流瞬变峰值随时间的变化关系以及不同偏置状态对SOI NMO...; 马婷贺朝会唐杜张晋新李培; 关键词：Γ射线剂量率数值模拟

超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算被引量：1: 2016年; 提出了一种计算超低泄漏电流硅二极管的单粒子位移损伤电流的方法。采用SRIM软件计算了252Cf源的裂变碎片入射二极管产生的初级撞出原子的分布,并采用Shockley-Read-Hall复合理论探讨了单粒子位移损伤电流值与缺陷参数的关系,计算了252Cf源辐照引起的单粒子位移损伤电流台阶值,计算结果与实验结果一致。针对耗尽区电场非均匀的特点,提出电场分层近似方法来考虑处于耗尽区中不同位置的初级撞出原子产生的缺陷对泄漏电流的影响。结果表明,PN结附近电场增强载流子产生效应最显著,考虑电场增强效应的情况下单个Frenkel缺陷引起的泄漏电流比未考虑电场增强效应时高约44倍;裂变碎片80 Me V Nd入射比106 Me V Cd入射引起的单粒子位移损伤电流大;252Cf源的裂变碎片在二极管中引起的单粒子位移损伤电流台阶值主要集中于1 f A至1 p A之间。; 唐杜贺朝会熊涔张晋新臧航李永宏张鹏谭鹏康; 关键词：泄漏电流二极管

一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可...; 王信李小龙张晋新玛丽娅·黑尼刘默寒李豫东郭旗陆妩

一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可...; 王信李小龙张晋新玛丽娅·黑尼刘默寒李豫东郭旗陆妩; 文献传递

新型SiGe异质结双极晶体管低剂量率损伤增强效应机理研究: 低剂量率损伤增强效应是双极型器件在空间辐射环境中发生失效的一种重要损伤模式.SiGe HBT由于其硅基能带工程的材料和器件结构的优势，具有卓越的低温特性和优异的抗总剂量辐照性能，使其具有推广应用于卫星通信、深空探测设备等...; 李培贺朝会张晋新马婷; 关键词：锗硅异质结双极晶体管

锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真被引量：3: 2015年; 本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影响.结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力,加固后Si Ge HBT伪集电极通过扩散机理,大量收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后Si Ge HBT的单粒子效应敏感区域缩小,有效的提高了Si Ge HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为Si Ge HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.; 李培郭红霞郭旗文林崔江维王信张晋新; 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应

双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响被引量：2: 2013年; 对一款双极集成、三端线性稳压器LM317进行了不同偏置、不同剂量率条件下的电离辐射效应及室温退火特性研究。研究结果表明:器件输出电压、输入输出压差等敏感参数在电离辐射环境下发生了不同程度的变化,且在零偏偏置辐照下的变化比工作偏置辐照下的变化大;在零偏偏置条件,总剂量相同时低剂量率辐照下的损伤明显大于高剂量率辐照,表现出低剂量率损伤增强效应;在工作偏置条件,高剂量率辐照下的损伤大于低剂量率辐照下的损伤,但随后的退火实验中恢复到低剂量率辐照损伤水平,表现出时间相关效应。对稳压器辐射敏感参数的影响因素和不同偏置下的剂量率影响进行了分析和讨论。; 邓伟陆妩吴雪郭旗何承发王信张晋新张孝富吴正新马武英

锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量：5: 2013年; 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。; 张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟; 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集

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