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卢靖

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院力学研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇碳化硅
  • 2篇单晶
  • 2篇浓度场
  • 2篇流场
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 1篇单晶生长
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁场
  • 1篇动力学模型
  • 1篇有限体积
  • 1篇有限体积法
  • 1篇生长动力学
  • 1篇输运
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳化硅单晶
  • 1篇力学模型
  • 1篇流体力学
  • 1篇硅单晶
  • 1篇SIC

机构

  • 4篇中国科学院力...

作者

  • 4篇卢靖
  • 3篇陈启生
  • 2篇张自兵
  • 1篇高鹏
  • 1篇李保林
  • 1篇钟兴儒

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
SiC晶体生长中的流场与浓度场数值模拟
<正> 碳化硅单晶(SiC)是广泛应用于大功率、高频率等电子元器件的第3代半导体材料,其生长机理与制备工艺是当前国内外学术研究的热点。大块碳化硅单晶主要采用物理气相输运法(PVT)进行制备,由于实验观测手段的限制,模型化...
卢靖张自兵陈启生
关键词：晶体生长浓度场SIC数值模拟
文献传递
碳化硅晶体生长中的流场和浓度场的数值模拟
卢靖
关键词：碳化硅单晶有限体积法生长动力学传质
碳化硅大块单晶生长中的电磁场输运及非平衡结晶现象
<正> 碳化硅单晶(SiC)基底可以用于大功率、高频电子及光电子元器件的制造。大块碳化硅单晶主要采用物理气相输运法(PVT)进行生长。由于实验观测手段的限制,碳化硅晶体生长过程的模型化研究成为理解晶体生长过程中的物理现象...
陈启生卢靖
关键词：碳化硅单晶生长电磁场
文献传递
流动/动力学模型在碳化硅晶体生长中的应用
陈启生钟兴儒李保林张自兵卢靖高鹏
该研究根据二维流动/动力学模型理论，模拟了两英寸碳化硅生长系统中的磁场、温度场、流场及浓度场，研究了感应加热频率对温度分布及生长速率的影响，预测了生长速度及晶体界面形状随轴向温度梯度及惰性气体压力的函数关系，给出了不同气...
关键词：
关键词：流体力学碳化硅晶体生长
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