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张文理

作品数:15 被引量:8H指数:3
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇非晶硅
  • 9篇A-SI:H
  • 7篇氢化非晶硅
  • 7篇非晶
  • 7篇A-SI:H...
  • 6篇硅薄膜
  • 5篇氢化非晶硅薄...
  • 5篇非晶硅薄膜
  • 5篇
  • 4篇微晶硅
  • 4篇稳定性
  • 4篇红外
  • 4篇CVD
  • 3篇ECR-CV...
  • 3篇沉积速率
  • 2篇影响因素
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基薄膜
  • 2篇

机构

  • 15篇北京工业大学
  • 6篇兰州大学
  • 1篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 15篇张文理
  • 14篇陈光华
  • 11篇朱秀红
  • 8篇邓金祥
  • 7篇宋雪梅
  • 7篇何斌
  • 6篇胡跃辉
  • 5篇吴越颖
  • 5篇郜志华
  • 5篇阴生毅
  • 5篇马占洁
  • 4篇周怀恩
  • 3篇李志中
  • 3篇荣延栋
  • 3篇王青
  • 3篇刘国汉
  • 2篇丁毅
  • 1篇刘毅
  • 1篇李瀛
  • 1篇殷生毅

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇功能材料
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇全国薄膜技术...
  • 2篇TFC’05...
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第五届中国功...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 6篇2006
  • 3篇2005
  • 6篇2004
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量:4
2004年
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a Si:H薄膜性能的影响 .研究表明 :在衬底附近 ,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率 ;在温度不很高时 ,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a Si:H薄膜 .
胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理
关键词:梯度磁场薄膜生长沉积速率
热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性...
张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
关键词:A-SI:H薄膜沉积速率
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
2004年
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
文献传递
影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素
氢化非晶硅薄膜作为一种新型的光伏功能材料,已被广泛地应用于大面积太阳能电池中,成为当前重要的绿色能源。但由于存在SW效应,制约了它的进一步发展。因此人们都在致力于研究影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素。本文对此也进行了...
马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
关键词:氢化非晶硅薄膜
文献传递
一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量:3
2004年
为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF-
殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥
关键词:永磁体磁场氢化非晶硅
采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜
氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关...
张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅邓金祥
关键词:A-SI:H硅基薄膜太阳电池氢化非晶硅
文献传递
氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另...
马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
关键词:A-SI:H微晶硅
文献传递
热丝辅助MWECR CVD制备高质量硅基薄膜的工艺研究
太阳能是一种清洁的可再生能源,充分开发利用太阳能已经成为世界各国政府可持续发展的能源战略决策。氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料。与a-Si:H薄膜相比氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜具有更高的载...
张文理
关键词:氢化非晶硅薄膜氢化微晶硅薄膜硅基薄膜
文献传递
共2页<12>
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