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宫龙飞

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇直拉硅
  • 3篇单晶
  • 3篇内吸杂
  • 3篇吸杂
  • 3篇硅单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇电路
  • 2篇电路工艺
  • 2篇热处理炉
  • 2篇氩气
  • 2篇晶片
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路工艺
  • 2篇硅单晶片
  • 1篇大直径
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇掺磷

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇宫龙飞
  • 3篇杨德仁
  • 3篇田达晰
  • 3篇阙端麟
  • 3篇马向阳
  • 2篇李立本
  • 1篇陈加和
  • 1篇何永增
  • 1篇曾俞衡

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种直拉硅片的内吸杂工艺
本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并...
马向阳杨德仁田达晰宫龙飞李立本阙端麟
文献传递
大直径直拉硅片的一种新型内吸杂工艺研究
半导体硅材料是微电子产业的基础材料。多年来,人们一直在研究如何控制和利用直拉硅中的杂质和缺陷,即所谓的“缺陷工程”。其中内吸杂工艺是学术界和工业界普遍关注的重点领域。近年来,人们一直在致力于简化内吸杂工艺和减少内吸杂工艺...
宫龙飞
关键词：直拉硅氧沉淀
文献传递
重掺磷直拉硅单晶的制备技术及应用
杨德仁田达晰马向阳宫龙飞陈加和何永增曾俞衡阙端麟
重掺磷直拉硅单晶的制备一直是国际硅材料界的一个难题，国际上仅有2-3家领先的硅材料企业可以制备。从2002年开始，项目系统研究了重掺磷导致的过冷度对硅晶体生长的影响、磷的挥发与分凝对掺杂效率的影响、热场与工艺参数对硅晶体...
关键词：
关键词：硅单晶
一种直拉硅片的内吸杂工艺
本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600－800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1－3℃/分的速度逐渐上升到1100－1200℃之间，并...
马向阳杨德仁田达晰宫龙飞李立本阙端麟
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