刘锋
- 作品数：11 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 重掺磷硅单晶生长技术研究被引量：2
- 2009年
- 在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
- 刘锋韩焕鹏李丹王富田李方王世援
- 关键词：硅单晶位错
- 太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究被引量：4
- 2014年
- 在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm（14英寸）密闭式热场,替换原有的500 mm（20英寸）热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm（3~6英寸）常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm（4英寸）硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。
- 韩焕鹏刘锋周传月李丹
- SiGe合金单晶生长研究被引量：1
- 2009年
- 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
- 刘锋毛陆虹韩焕鹏王义猛李丹何秀坤
- 关键词：单晶生长直拉法位错密度
- Si_(1-x)Ge_x单晶用热系统改进
- 2013年
- 阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-x Gex单晶生长的过程。借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况,并通过分析发现了原有热系统的不足。重新对原热系统进行了改造,添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置,使原来的敞开式热场变为密闭式热场,满足了Si1-x Gex单晶拉制的要求。通过具体实验和数值模拟结合,分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响,发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题。
- 韩焕鹏刘锋
- 关键词：数值模拟热屏
- 直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：3
- 2013年
- 直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。
- 吕菲耿博耘于妍杨洪星刘锋
- 关键词：腐蚀速率
- SiGe合金单晶生长及性能研究
- 在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt％(重量比)、直径(50～6...
- 刘锋毛陆虹韩焕鹏王义猛李丹何秀坤
- 关键词：锗硅合金单晶生长位错密度
- 文献传递
- 碳/碳复合材料应用于直拉硅单晶生长的研究被引量：4
- 2011年
- 介绍了热系统在直拉硅单晶中的作用,对比了石墨与碳/碳复合材料的生产过程和性能特点与差异。通过在单晶炉上的实验应用,证明了碳/碳复合材料比石墨材料具有更好的实际应用效果,在直拉硅单晶领域具有很好的应用潜力。分析了碳/碳复合材料的一些不足,并提出了相应的解决方案。
- 王世援韩焕鹏刘锋
- 直拉法生长Si_(1-x)Ge_x单晶的数值模拟
- 2010年
- 利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据。对优化晶体生长条件参数、提高晶体生长稳定性和晶体质量具有较好的指导意义。
- 韩焕鹏刘锋
- 关键词：数值模拟直拉法湍流
- 空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
- 本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
- 刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
- 关键词：抗辐照加固
- 文献传递
- Si中场致光整流效应的研究
- 2008年
- 通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果。
- 韩焕鹏张晓婷刘锋
- 关键词：电场诱导光整流效应光生电压
