您的位置: 专家智库 > >

邓文娟

作品数:75 被引量:71H指数:3
供职机构:东华理工大学机械与电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 39篇专利
  • 36篇期刊文章

领域

  • 27篇电子电信
  • 11篇文化科学
  • 9篇自动化与计算...
  • 6篇理学
  • 5篇一般工业技术

主题

  • 18篇光电
  • 13篇光电阴极
  • 9篇光电发射
  • 8篇刻蚀
  • 8篇ALGAAS...
  • 7篇纳米
  • 7篇金属
  • 7篇教学
  • 6篇电场
  • 6篇内建电场
  • 6篇光学
  • 6篇光学共振
  • 6篇核辐射
  • 6篇核辐射探测器
  • 6篇辐射探测器
  • 6篇负电子亲和势
  • 5篇电极
  • 5篇氧化钒薄膜
  • 5篇二氧化钒
  • 5篇二氧化钒薄膜

机构

  • 75篇东华理工大学
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇南京理工大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇深圳市锦嘉电...

作者

  • 75篇邓文娟
  • 47篇邹继军
  • 32篇彭新村
  • 21篇朱志甫
  • 9篇王嵩
  • 9篇冯林
  • 9篇汤彬
  • 8篇张益军
  • 8篇朱兆优
  • 8篇刘云
  • 7篇常本康
  • 6篇王炜路
  • 5篇钱敏
  • 5篇卜毅
  • 4篇王怀平
  • 3篇郭栋
  • 3篇周书民
  • 3篇黄翔
  • 3篇胡文龙
  • 2篇张涛

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇东华理工大学...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇科技广场
  • 2篇东华理工大学...
  • 2篇电子技术与软...
  • 1篇电子测试
  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇科技情报开发...
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇机电工程技术
  • 1篇光电子技术
  • 1篇信息技术
  • 1篇中国教育技术...
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇福建分析测试

年份

  • 2篇2025
  • 9篇2024
  • 6篇2023
  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
75 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源,以p型GaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层,而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙Al...
邹继军万明冯林邓文娟彭新村程滢江少涛王炜路张益军常本康
控制类实验设备的故障专家诊断系统研究
2010年
论述了以VC++为开发平台,采用基于专家系统的模糊诊断算法,通过对实际结果的数据采集和理论模型结果的模糊比对,给出《自动控制原理》实验装置实现自我诊断的机理和实现方法。通过该智能诊断系统的开发,能够在指导学生完成实验的同时,在装置发生故障时,还能让学生在系统的指导下,自行发现故障的位置,在提高学生动手能力的同时,也为排除故障奠定了基础,能够大幅度减小实验装置管理人员的工作量和劳动强度。
王嵩钱敏邓文娟
关键词:VC++专家系统
基于网络教学平台的嵌入式设计课程PBL教学模式探索被引量:1
2013年
本文就网络环境下嵌入式设计课程教学在教学内容、教学方法方面进行探讨。以《C语言程序设计》为例,对网络环境下嵌入式设计课程PBL的教学设计和学习环境的构建,开展了深入的理论和实践研究。
邓文娟王嵩
关键词:PBL嵌入式C语言网络教学平台
一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法
本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法,该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成;在一定厚度的GaAs衬底上,采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料,在超高真空激活系统中制...
邹继军郭栋朱志甫彭新村邓文娟王炜路冯林张益军常本康
文献传递
氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响
2020年
二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响,获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1200 s,并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜。以单层纳米球为掩模,采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱。测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5%,远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40%的光反射。分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应,从而有效降低反射率并提升光吸收。
王智栋刘云彭新村邹继军朱志甫邓文娟
关键词:ICP刻蚀
场助光电阴极研究进展
2022年
对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极;InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度,响应时间快,有利于在条纹变像管中应用;InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层,对延长波长阈值非常有利,通过分析不同结构的特点及应用,讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。
岳江楠李禹晴陈鑫龙徐鹏霄邓文娟彭新村邹继军
关键词:铟镓砷磷化铟
一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用
本发明适用于核辐射探测技术领域,提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:用溴甲醇溶液对CsPbBr<Sub>3</Sub>单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理;用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底...
张明智王可邹继军朱志甫邓文娟田芳
一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺
本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底,缓冲层外延在衬底上,P型下帽层制作在缓冲层上,P型势阱层制作在P型下帽层上,多量子阱层制作在P型势阱层上,P型上帽层制作在多量子阱...
邓文娟朱斌邹继军彭新村朱志甫王壮飞周甜
基于Java语言的Windows环境下PC机与单片机通信被引量:1
2005年
随着微机测控技术的发展,人们对测控系统的要求越来越高,用户要求所使用的系统具有良好的人机交互模式。本文就如何优化人机界面进行探讨,采用跨平台的面向对象的编程语言——Java,实现PC机与单片机之间的通讯设计。
邓文娟朱兆优王嵩
关键词:单片机RS-232C串行通信JAVA语言多线程技术
一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺
本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底,缓冲层外延在衬底上,P型下帽层制作在缓冲层上,P型势阱层制作在P型下帽层上,多量子阱层制作在P型势阱层上,P型上帽层制作在多量子阱...
邓文娟朱斌邹继军彭新村朱志甫王壮飞周甜
共8页<12345678>
聚类工具0