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谢红

作品数：46 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 32篇石墨
  • 32篇石墨烯
  • 20篇衬底
  • 14篇电极
  • 11篇场效应
  • 10篇图形化
  • 9篇金属
  • 8篇纳米
  • 8篇纳米带
  • 8篇超导
  • 7篇刻蚀
  • 7篇场效应管
  • 6篇接触电极
  • 6篇金属电极
  • 6篇绝缘衬底
  • 5篇载流子
  • 5篇迁移率
  • 5篇半导体
  • 5篇催化
  • 4篇电子器件

机构

  • 46篇中国科学院
  • 1篇中南大学

作者

  • 46篇王浩敏
  • 46篇谢红
  • 45篇谢晓明
  • 26篇江绵恒
  • 19篇吴天如
  • 19篇孙秋娟
  • 17篇李蕾
  • 13篇贺立
  • 9篇刘晓宇
  • 9篇张学富
  • 8篇邓联文
  • 7篇陈吉
  • 6篇唐述杰
  • 6篇卢光远
  • 6篇张道礼
  • 6篇王秀君
  • 4篇康晓旭
  • 3篇杨鹏
  • 2篇于广辉
  • 2篇陈志蓥

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 11篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石...
王浩敏谢红吴天如孙秋娟王慧山宋阳曦刘晓宇唐述杰谢晓明
一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法
本发明提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法，所述方法至少包括：1)提供一柔性衬底，将所述柔性衬底粘附至一硬性衬底，并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道；2)采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形，沉积金属并剥离在所述石...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
一种石墨烯闪存存储器的制备方法
本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的...
王浩敏谢红王慧山李蕾卢光远张学富陈吉吴天如谢晓明江绵恒
一种量子干涉器件结构及其制备方法
本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电...
王浩敏谢红李蕾王慧山杨鹏谢晓明江绵恒
一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介电薄膜层，位于所述栅电极沟...
王浩敏谢红孙秋娟康晓旭刘晓宇谢晓明
一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法
本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化...
王浩敏谢红王慧山王秀君陈令修贺立谢晓明
一种石墨烯场效应器件制备方法
本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标...
王浩敏谢红刘晓宇张有为陈志蓥于广辉谢晓明
基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石...
王浩敏谢红吴天如孙秋娟王慧山宋阳曦刘晓宇唐述杰谢晓明
一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法
本发明提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法，所述方法至少包括：1)提供一柔性衬底，将所述柔性衬底粘附至一硬性衬底，并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道；2)采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形，沉积金属并剥离在所述石...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
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