周雷雷
- 作品数：9 被引量：0H指数：0
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江苏省杰出青年基金更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学更多>>
- 高容积率大型建筑交通组织研究
- 随着近年我国国民经济的持续发展及城市化进程的不断加快，城市土地开发的数量不断上升，城市日益兴建高容积率大型建筑以促进城市经济发展。高容积率大型建筑是社会需求，经济发展，用地紧张的必然产物。高容积率大型建筑充分利用有限的土...
- 周雷雷
- 关键词：高容积率出入口管理仿真软件
- 文献传递
- 功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究
- 浅槽隔离(STI)工艺因其无鸟嘴、集成度高及隔离能力强等优点成为深亚微米功率集成电路领域的主流，功率STI-LDMOS器件也因此成为应用最广的小尺寸功率器件。然而器件尺寸缩小并未带来工作电压的等比例缩小，热载流子效应导致...
- 周雷雷
- 关键词：热载流子
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
- 孙伟锋马荣晶周雷雷张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
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- 文献传递
- 一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法
- 本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容C<Su...
- 孙伟锋叶伟叶然马荣晶周雷雷陆生礼时龙兴
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
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- 文献传递
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
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- 文献传递
- 一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法
- 本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容C<Su...
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- 文献传递
- 功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响
- 2016年
- 研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,由于Ialin的分布比Iasat的分布更靠近器件表面,故Ialin的退化比Iasat的退化更严重;而器件沟道区的碰撞电离和热载流子损伤很小,使得阈值电压Vth在应力前后没有明显的退化.在此基础上,进一步研究了环境温度对LIGBT器件的热载流子退化的影响.结果表明,LIGBT呈现正温度系数,且高温下LIGBT的阈值电压会降低,使得相同应力下其电流增大,导致器件碰撞电离的增大,增强了器件的热载流子损伤.
- 张艺张春伟刘斯扬周雷雷孙伟锋
- 关键词：环境温度热载流子效应
