潘丹峰
- 作品数:14 被引量:1H指数:1
- 供职机构:南京大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Co/Co3O4/PZT多铁复合薄膜的交换偏置效应及其磁电耦合特性被引量:1
- 2015年
- 本文采用溶胶-凝胶工艺并结合脉冲激光沉积技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Co/Co3O4/PZT多铁复合薄膜.对复合薄膜的微结构和组分进行了表征,并系统研究了复合薄膜中的交换偏置效应及其对磁电耦合作用的影响.研究结果表明,复合薄膜在77 K具有明显的交换偏置效应,交换偏置场达到80 Oe,且交换偏置场及矫顽场均随温度降低而增大.当温度降低到10 K时,交换偏置场增至160 Oe.X射线光电子能谱(XPS)测试结果证实在Co和Co3O4界面处存在约5 nm厚的CoO层,表明77 K下的交换偏置效应源自反铁磁的CoO层对Co的钉扎作用.观察到复合薄膜的电容-温度曲线随着外加磁场大小和方向的改变而呈现出规律性的变化,表明复合薄膜存在磁电耦合效应.进一步研究发现,在低温下复合薄膜呈现出各向异性的磁电容效应,与磁场大小和方向密切相关.复合薄膜的这种磁电耦合特性主要与复合体系的交换偏置效应及基于界面应力传递的磁电耦合作用有关,本文对其中的物理机理进行了详细讨论与分析.
- 李永超周航潘丹峰张浩万建国
- 关键词:交换偏置
- 基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层,深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构,其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RG...
- 刘斌蒋迪余俊驰王轩陶涛潘丹峰谢自力周玉刚陈敦军修向前张荣
- 文献传递
- 基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺
- 本发明公开了一种基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺,涉及细胞光学和生理信号探测,包括对细胞级别的生物组织进行成像的商用或专用成像芯片、微电极阵列、引线、触点和表面绝缘阻隔层构成。成像芯片是可对单细胞级别生物组织进行实...
- 张丽敏熊朗李卓航徐子然潘丹峰
- NiO/CFO/PZT多铁异质结铁电极化对磁性调控的研究
- 电场对磁性的调控因其广泛的应用前景及丰富的物理内涵而日益引起人们的关注,并成为当前材料及物理领域的一大研究热点。本文中,我们报道了室温下铁电极化对饱和磁矩(Ms)及交换偏置场(Heb)的巨大调控,并对其机理进行了研究。
- 李永超潘丹峰吴军万建国
- 关键词:交换偏置
- 用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件及其制备方法
- 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件,将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉,然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro...
- 刘斌王琦张荣陶涛许非凡余俊驰潘丹峰谢自力周玉刚修向前陈敦军
- 文献传递
- 同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备
- AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过...
- 吴军万建国宋林潘丹峰李永超
- 文献传递
- 一种高深宽比超导氮化铌纳米线及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用,采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜;在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂,形成电子束抗刻蚀剂层;采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形;...
- 张蜡宝郭书亚陈奇潘丹峰涂学凑韩航贾小氢赵清源陈健康琳吴培亨
- 用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件及其制备方法
- 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件,将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉,然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro...
- 刘斌王琦张荣陶涛许非凡余俊驰潘丹峰谢自力周玉刚修向前陈敦军
- 文献传递
- 同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备
- AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过...
- 吴军万建国宋林潘丹峰李永超
- 文献传递
- 极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气,实现增强型器件。此外,由于铁电薄膜的负电容效应,...
- 陈敦军朱子孟潘丹峰郭慧