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姜俊

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术经济管理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米管
  • 2篇场发射
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇导电
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子源
  • 1篇栅极
  • 1篇栅控
  • 1篇债市
  • 1篇真空
  • 1篇真空微电子
  • 1篇真空微电子器...
  • 1篇中国国债
  • 1篇实证
  • 1篇实证研究
  • 1篇碳纳米管薄膜

机构

  • 5篇中山大学

作者

  • 5篇姜俊
  • 4篇张宇
  • 2篇许宁生
  • 2篇邓少芝
  • 1篇欧海

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
采用碳纳米管场发射三极管的IGBT器件新结构
半导体功率器件是电力电子技术的核心。随着功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的发明和应用,电力电子工业得到了快速发展。但随着高压、高频领域的发展,现有的硅基固态功率器件难以满足更...
丁宇龙姜俊张宇
关键词：碳纳米管
一种基于直立碳纳米管薄膜的集成栅控场发射结构及其制造方法
本发明公开了一种基于直立碳纳米管薄膜的集成栅控场发射结构及其制造方法。所述制造方法包括：将直立碳纳米管薄膜生长在单晶硅片上；将直立碳纳米管薄膜连同单晶硅片倒装转移至导电衬底；将单晶硅片的厚度刻蚀至1‑2μm，得到单晶硅自...
张宇姜俊邓少芝许宁生
碳纳米管平面真空三极管的结构制备与场发射特性
真空三极管具有高功率、高频率、耐高压、抗辐射能力强、耐高温等优点,然而其体积和功耗限制了其在现代应用中的发展。通过将真空三极管与微加工技术相结合实现片上集成,将成为真空器件发展的重要方向。碳纳米管作为冷阴极材料具有优异的...
姜俊欧海张宇
关键词：碳纳米管场发射特性
一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法
本发明提出一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法，涉及纳米电子技术领域，所述双层场发射冷阴极电子源包括从下至上依次连接的第一阴极、绝缘层、第二阴极和栅极；所述第一阴极包括导电衬底和第一层场发射体，第一层场发射体设置于导电...
张宇姜俊邓少芝许宁生
中国国债即期收益率实证研究
随着中国国债发行规模的不断扩大，发行方式的不断完善。国债收益率越来越成为政府、中央银行和投资者关心和研究的重点。由于我国国债上市的品种较少，期限结构不合理，应用相应的统计技术进行收益率曲线的拟合就变得非常必要。因此，本文...
姜俊
关键词：国债市场利率政策
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