您的位置： 专家智库 > >

单伟

作品数：46 被引量：10H指数：2
供职机构：浙江正泰太阳能科技有限公司更多>>
相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电气工程
  • 3篇动力工程及工...

主题

  • 34篇电池
  • 18篇硅片
  • 15篇太阳能电池
  • 14篇电极
  • 13篇太阳能
  • 8篇钝化
  • 8篇发射极
  • 7篇背电极
  • 6篇选择性发射极
  • 6篇太阳电池
  • 6篇离子注入
  • 6篇金属
  • 6篇扩散层
  • 4篇电池效率
  • 4篇钝化层
  • 4篇绒面
  • 4篇丝网印刷
  • 4篇隧穿
  • 4篇太阳能电池片
  • 4篇金属电极

机构

  • 46篇浙江正泰太阳...
  • 1篇海宁正泰新能...

作者

  • 46篇单伟
  • 24篇陆川
  • 18篇黄海燕
  • 16篇牛新伟
  • 16篇韩玮智
  • 15篇王仕鹏
  • 9篇金建波
  • 6篇权微娟
  • 5篇胡金艳
  • 5篇贺海晏
  • 4篇李旺
  • 3篇王娟
  • 3篇石强
  • 2篇刘石勇
  • 2篇唐兆俊
  • 2篇李永辉
  • 2篇黄纬
  • 1篇殷涵玉
  • 1篇李永辉

传媒

  • 6篇太阳能
  • 3篇太阳能学报

年份

  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 11篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 7篇2013
共 46 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种HJT光伏电池的制备方法
本发明公开了一种HJT光伏电池的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供N型硅片，并对所述硅片进行制绒操作；在所述硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及氮化硅层；在所述硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层...
郑佳毅贺海晏单伟王仕鹏黄海燕陆川
一种降低PERC电池片光致衰减装置
本申请公开了降低PERC电池片光致衰减装置，包括光注入区组件，光注入区组件包括预热区组件和光照区组件以及电池片输送炉带；预热区组件包括至少一个光注入预热装置；光照区组件包括至少一个光照装置，至少一个光注入加热装置和至少一...
方灵新余浩单伟何胜徐伟智
一种TOPCon电池及其制作方法
本申请公开了一种TOPCon电池及其制作方法，该方法包括获得TOPCon电池的半成品；半成品包括硅片，位于硅片背面的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化层，位于硅片正面的发射极层、正面钝化层；在半成品的正面对应正面细栅线的...
马玉超陈彭杨金芳单伟何胜徐伟智
一种硅片RIE制绒后的处理方法
本发明公开了一种硅片RIE制绒后的处理方法，包括如下步骤：对RIE制绒后的硅片进行水洗；采用第一酸性溶液对所述硅片进行第一次酸性清洗；对所述硅片进行水洗；采用第二酸性溶液对所述硅片进行第二次酸性清洗；对所述硅片进行水洗；...
单伟韩玮智牛新伟蒋前哨金建波陆川仇展炜
单硅片制备双发电单元串联的初步探索
2015年
在未对硅片进行任何切割或分离的基础上,利用碱液腐蚀方法在单硅片上制备两个相互分离的pn结区;然后利用丝网印刷工艺在硅片上制备串联的双发电单元。通过Berger测试系统采用分体测试测得电池效率最高可达10.9%,漏电流与常规多晶电池持平。
黄海燕胡金艳单伟王仕鹏陆川
关键词：丝网印刷
一种高效晶硅PERC电池的制备方法
本发明公开了一种高效晶硅PERC电池的制备方法，所述制备方法包括：提供硅片，并对所述硅片进行制绒；对所述硅片进行磷扩散或者硼扩散；对所述硅片的边缘和背面发射极进行刻蚀，并去除PSG或BSG；在所述硅片的正面形成减反射层；...
权微娟单伟王娟李旺王仕鹏黄海燕陆川
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：提供P型掺杂的硅片，该硅片包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；通过离子注入的方式在所述硅片的第一表面形成N型浅掺杂层；根据前电极图形形状，在所述N型浅掺杂...
单伟韩玮智牛新伟
一种降低PERC电池片光致衰减的方法
本申请公开了降低PERC电池片光致衰减的方法，包括将PERC电池片在光注入区以单片在电池片输送炉带上的形式进行预热处理，预热温度为400℃至800℃；将预热后的PERC电池片进行光照处理和加热处理；将光注入处理后的PER...
方灵新余浩单伟何胜徐伟智
掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响
2019年
研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。
贺海晏郑佳毅单伟王仕鹏黄海燕陆川
P型晶体硅PERC电池及其制备方法
本发明提供了一种P型晶体硅PERC电池及其制备方法，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正...
李宏伟何胜单伟周盛永
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0