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王旭东

作品数：49 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇铁电
  • 20篇电极
  • 20篇探测器
  • 20篇金属
  • 15篇光刻
  • 14篇金属电极
  • 14篇光电
  • 12篇电畴
  • 12篇铁电畴
  • 11篇光电探测
  • 11篇光电探测器
  • 10篇紫外光刻
  • 9篇红外
  • 8篇电子束光刻
  • 8篇铁电薄膜
  • 8篇偏振
  • 8篇局域
  • 8篇局域场
  • 7篇异质结
  • 7篇半导体

机构

  • 49篇中国科学院
  • 2篇复旦大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 49篇王旭东
  • 45篇王建禄
  • 44篇孟祥建
  • 42篇褚君浩
  • 40篇林铁
  • 40篇沈宏
  • 9篇孙璟兰
  • 6篇胡伟达
  • 3篇陆卫
  • 3篇陈效双
  • 3篇孙硕
  • 2篇陈艳
  • 2篇葛军
  • 2篇蒋伟
  • 1篇周孝好
  • 1篇王鹏
  • 1篇李强
  • 1篇韩莉
  • 1篇汪琳
  • 1篇徐明升

传媒

  • 3篇光子学报
  • 1篇中国光学

年份

  • 2篇2025
  • 9篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 10篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种二维范德华异质结构光电探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表...
王建禄陈艳王旭东孟祥建沈宏林铁孙璟兰褚君浩
一种极化电场调控二维半导体能带结构
本专利公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极...
王建禄王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
文献传递
一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法
本发明公开一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法。其特征在于，在热氧化生长SiO<Sub>2</Sub>的Si衬底上制备MoS<Sub>2</Sub>薄膜，然后采用光刻、lift off方法刻蚀出场效应管...
王旭东王建禄孟祥建韩莉孙硕沈宏林铁孙璟兰褚君浩
文献传递
一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法
本发明公开了一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法。所述的光伏电池结构自上而下依次为铁电功能层、金属电极、二维半导体和绝缘硅衬底。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或者电子束曝光的方...
王建禄伍帅琴吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法
本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期...
王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
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一种二维半导体负电容场效应管
本专利公开了一种二维半导体负电容场效应管。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金...
王建禄王旭东孟祥建沈宏林铁孙硕孙璟兰褚君浩
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一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法，涉及偏振光电探测技术领域，该偏振光电探测器从下向上观测依次是衬底、二维半导体层、金属电极对以及铁电薄膜层；二维半导体层的材料为黑磷；铁电薄膜层的材料为聚偏氟乙烯...
王旭东伍帅琴陈艳王建禄沈宏林铁孟祥建褚君浩
文献传递
一种铁电畴调控的MoTe<Sub>2</Sub>面内PN结及制备方法
本发明公开了一种铁电畴调控的MoTe<Sub>2</Sub>面内PN结及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、双极性二维半导体MoTe<Sub>2</Sub>，金属电极、铁电薄膜层。器件制备步骤是在衬底上利用机械剥离法...
王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
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一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器
本专利公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或...
王建禄胡伟达王旭东孙璟兰孟祥建陈效双陆卫褚君浩
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一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法
本发明公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复...
王建禄王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
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