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基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用: 本发明公开了一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用。所述基于沟道阵列的异质结场效应晶体管包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；所述晶体...; 张晓东张辉张佩佩郝荣晖宋亮于国浩蔡勇张宝顺

p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法: 本发明公开了一种p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导...; 于国浩陈扶宋亮郝荣晖张宝顺

改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件: 本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在...; 李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法: 本发明属于半导体技术领域，尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构，其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层以...; 邓旭光张宝顺蔡勇范亚明付凯于国浩张志利孙世闯宋亮

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法: 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于...; 张宝顺宋亮张晓东于国浩

基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为Alx<...; 徐峰于国浩李军帅邓旭光张丽宋亮范亚明张宝顺

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法: 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的p型掺杂层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的...; 宋亮于国浩张晓东张宝顺

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法: 本发明属于半导体技术领域，尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构，其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层以...; 邓旭光张宝顺蔡勇范亚明付凯于国浩张志利孙世闯宋亮

复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2: 2018年; 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量的AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）器件,并进行了直流测试。测试结果表明,在栅压为18 V时,器件的阈值回滞仅为150 mV,其特征导通电阻为1. 74 mΩ·cm^2（Vgs=2 V）,其击穿电压达到805 V （Ids=100μA/mm）。多频率C-V测试显示,界面态密度可低至2. 9×10^13eV^-1·cm^-2。因此,这种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为栅介质的方法,在改善器件的阈值回滞、击穿电压和界面态密度等方面效果显著。; 张佩佩张辉张辉张晓东于国浩宋亮宋亮张宝顺; 关键词：ALGAN/GAN 界面态

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件: 本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在...; 李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮

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宋亮