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任敏

作品数:52 被引量:64H指数:5
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学航空宇航科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 17篇会议论文
  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 9篇理学
  • 3篇航空宇航科学...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 14篇晶体管
  • 8篇自旋
  • 8篇绝缘栅
  • 7篇双极型
  • 7篇双极型晶体管
  • 7篇IGBT
  • 6篇电流驱动
  • 6篇半导体
  • 5篇电子束曝光
  • 5篇多层膜
  • 5篇微电子
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束刻蚀
  • 5篇绝缘栅双极型...
  • 5篇刻蚀
  • 4篇电子器件
  • 4篇振荡器
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇微波振荡器
  • 4篇金属多层膜

机构

  • 29篇电子科技大学
  • 24篇清华大学
  • 3篇中国民用航空...
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海华虹宏力...
  • 1篇上海超致半导...

作者

  • 52篇任敏
  • 23篇李泽宏
  • 21篇陈培毅
  • 20篇张金平
  • 14篇董浩
  • 12篇张波
  • 11篇邓宁
  • 10篇张磊
  • 9篇邓宁
  • 7篇胡九宁
  • 6篇张磊
  • 6篇高巍
  • 4篇刘继芝
  • 3篇徐学良
  • 3篇何建
  • 2篇谭开洲
  • 2篇任静
  • 2篇张树超
  • 2篇张怀武
  • 2篇曲秉郡

传媒

  • 7篇2014`全...
  • 6篇微纳电子技术
  • 5篇2011’全...
  • 4篇物理学报
  • 4篇电气电子教学...
  • 3篇微电子学
  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇2013‘全...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 3篇2022
  • 2篇2020
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 10篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 9篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2002
52 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有辅助埋层的恒流JFET
本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器件的恒流特性,在同等参数条件下,恒流...
刘建李泽宏张金平任敏张波
关键词:发光二极管电流变化率
文献传递
双极型晶体管电流增益的温度特性研究
本文分析了影响双极型晶体管电流增益温度特性的各种因素,讨论了大注入效应对温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取3DD167进行不同温度不同工作条件的测试分析,实验结果表明,在特定的工作条件下,该器件...
李婷李吉李泽宏张金平任敏
关键词:双极型晶体管电流增益温度特性
文献传递
绝缘栅双极型晶体管的研究进展
本文主要概述了绝缘栅双极型晶体管的演变历程以及主要技术发展,同时对我国绝缘栅双极型晶体管的发展现状进行了分析。
张金平张波徐中川常捷戴黎徐晓然杨文韬李泽宏任敏陈万军
关键词:功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管
文献传递
对空情报雷达成像算法研究
任敏
关键词:逆合成孔径雷达脉冲压缩算法成像算法
一种采用IGBT逆变焊接电源的分析与设计
逆变焊接电源是电力电子技术应用的新领域.其中,IGBT是实现焊接电源的主要开关器件.本文以实验室研发的IGBT为依据,首先给出了系统结构框图,并对其工作原理进行了理论分析.基于实际搭建的电路平台的测试,分析了由于电路设计...
李蜀一李泽宏张金平任敏高巍
关键词:逆变焊接电源系统结构电路设计
文献传递
IGBT新技术及发展趋势被引量:6
2017年
目前,采用精细化沟槽栅技术、薄片加工技术、场阻技术和发射极载流子浓度增强技术的器件结构已成为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主流结构,同时新的器件结构技术、封装技术和新材料技术也成为业界研究的重点。文章针对近年来有关IGBT所取得的最新研究进展,从器件结构、封装技术、国际主要厂商的技术发展、新材料器件等方面对IGBT器件新技术及发展趋势进行了系统的梳理和概述。
张金平赵倩高巍李泽宏任敏张波
关键词:功率开关封装技术
高压P沟道VDMOS的设计
针对国内的P沟道VDMOS的研究还比较缺乏的现状.本文在已有的N沟道VDMOS设计经验的基础上,提出了相应的工艺方法,并利用半导体仿真软件Tsuprem4和MEDICI,对主要的工艺参数和器件的电学参数进行仿真优化,得到...
王为李泽宏任敏张金平高巍张波
关键词:场效应晶体管P沟道
文献传递
对称自旋阀结构纳米微波发射器
当自旋极化的直流电流垂直通过一个纳米自旋阀结构时,会产生自旋传输矩效应,它在两方面具有应用前景:一是电流感应磁开关或stt-RAM,二是自旋传输矩振荡器.后者在片上微波源和移动通信领域有着潜在的应用前景.STNO的应用受...
陈培毅董浩任敏邓宁
电流驱动磁化翻转中的热效应被引量:1
2009年
从理论上研究了电流驱动磁开关中的热效应,在Neel-Brown弛豫时间理论和Li等的有效温度的工作基础上作了改进.在对称系综模型的Landau-Lifshitz-Gilbert和Fokker-Planck方程的基础上,分析了电流驱动磁动力学开关过程和电流引起磁势能的变化,提出一个新的电流感应磁势垒降低模型.新模型是非线性的,与Li等的有效温度模型不同.在此模型的基础上,讨论了开关临界电流对温度、开关时间的依赖关系,理论与实验相符合.对电流引起的样品温升的实验曲线进行了修正,实验结果与文中的非线性势垒降低模型一致.此外由实验确定了磁开关的本征开关电流Ic0、尝试时间τ0和本征势垒Eb0.
董浩任敏张磊邓宁陈培毅
关键词:热效应FOKKER-PLANCK方程
双极型晶体管电流增益的温度特性研究被引量:5
2012年
分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零温度点。实验结果和模型吻合较好。
何建徐学良王健安李吉李泽宏张金平任敏
关键词:双极晶体管正温度系数电流增益
共6页<123456>
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