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锰掺杂诱导正交相SnO_2的生长行为: 2013年; 通过一种简单的共沉淀方法制备了Mn掺杂二氧化锡(SnO_2)颗粒,对前驱体在不同温度下热处理,并通过X射线衍射(X-my diffraction,XRD)和高分辨电子显微学(high-resolution transmission electron microscopy,HRTEM)对样品的微纳米结构进行了表征.结果表明:样品中除了四方相Sn02外,还存在正交相SnO_2.XRD测试结果显示,随着退火温度的增加,正交相SnO_2的峰强减弱,四方相的峰强增加.HRTEM分析表明:样品中可以同时找到四方相和正交相SnO_2的晶格像,进一步证实了正交相SnO_2的存在.Mn掺杂SnO_2后,Mn离子进入SnO_2晶胞,替代了Sn离子,因此引起晶格扭曲畸变,对正交相SnO_2的形成起着重要的作用.; 王利军陈琛刘延雨陈志文; 关键词：四方相晶格畸变微纳米结构

具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜的制备方法: 本发明涉及一种操作与制备技术简单，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜的制备方法，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge与Pd分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上，在室温下当...; 陈志文刘延雨王利军陈琛焦正吴明红; 文献传递

介孔MnO_2超结构的合成及其性能被引量：1: 2013年; 为了研制高级氧化水处理中所需的高效稳定催化剂,采用了一种节能环保、工艺简单、无需模板的界面合成法,在H2O/CH2Cl2界面上制备出了介孔MnO2,并探究了其热稳定性.应用X射线衍射仪、傅里叶红外光谱仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、比表面积及孔隙度分析仪对制备的样品进行组分和形貌的分析.结果表明:制备的介孔MnO2是由γ-MnO2和ε-MnO2组成,它是由中空的亚微米级的MnO2刺球堆积排列而成,平均孔径约为5.9 nm,比表面积为322.5 m2/g,孔容为0.451 cm3/g.在热稳定性方面,这种介孔MnO2经过400 C以下的煅烧,物相没有变化,只有晶型转变,仍保持刺球形貌;经过500 C煅烧后,MnO2变成了纯相Mn2O3,中空刺球结构发生坍塌.此外,对这种独特的介孔MnO2超结构的生长机理进行了初步的探讨.可见,界面合成法可以制备出高比表面积的形貌奇特、结构稳定的介孔MnO2.; 刘延雨王利军侯凌癸汪文峰陈志文; 关键词：H2O 超结构

具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法: 本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真...; 陈志文李全宝陈琛刘延雨王利军焦正吴明红; 文献传递

一种Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料的制备方法: 本发明涉及一种温和可控的Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料的制备方法，属于过渡金属氧化物功能材料领域。本发明的主要内容是：KMnO4液滴穿过CH2Cl<S...; 陈志文刘延雨王利军侯凌癸汪文峰焦正吴明红; 文献传递

二氧化锡半导体薄膜的制备方法及其缺陷湮灭方法: 本发明涉及一种激光技术制备二氧化锡半导体薄膜及其微结构缺陷湮灭的实验工艺，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。二氧化锡是近年来引起广泛关注的一种n-型半导体功能材料，在微电子工业、光电子器件以及太阳能电池等领域...; 陈志文王利军刘延雨陈琛焦正吴明红; 文献传递

ZnO/SnO2复合材料的超临界流体干燥制备方法: 本发明涉及采用超临界流体干燥法制备ZnO/SnO2复合材料的方法，属于无机氧化物纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：本发明采用超临界流体干燥法制备ZnO/SnO2...; 陈志文王剑刘延雨焦正吴明红; 文献传递

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刘延雨