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刘宁希

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇处理器
  • 2篇单核
  • 2篇多核
  • 2篇多核处理
  • 2篇多核处理器
  • 2篇多进程
  • 2篇上网
  • 2篇片上网络
  • 2篇网络
  • 2篇微处理器
  • 2篇微处理器技术
  • 2篇控制寄存器
  • 2篇寄存器
  • 2篇功耗
  • 2篇功耗优化
  • 2篇存储器
  • 1篇应力
  • 1篇阵列
  • 1篇嵌入式
  • 1篇嵌入式应用

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇刘宁希
  • 4篇虞志益
  • 4篇曾晓洋
  • 4篇俞政
  • 4篇于学球
  • 1篇林殷茵
  • 1篇陈浩
  • 1篇董庆
  • 1篇姜钰

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种可重构单指令多进程的多核处理器及方法
本发明属于多核处理器技术领域，具体涉及一种可重构单指令多进程的多核处理器及方法。本发明的可重构单指令多进程多核处理器，基于现有的一个簇状结构、共享内存多核处理器模型，每个簇中包含四个单核和一个共享内存；在此基础上增加如下...
虞志益俞政于学球刘宁希曾晓洋
可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路
2014年
提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列。测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响。此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比。测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证。每种测试电路所占版图面积为415μm×50μm。测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小。
姜钰刘宁希董庆陈浩林殷茵
关键词：检测电路饱和电流
一种低功耗的长指令字指令存储器及其优化功耗的方法
本发明属于微处理器技术领域，具体涉及一种微处理器的指令存储器及其优化功耗的方法。本发明将指令存储器的位宽扩充为4条指令，并且，相应地对存储器的指令选择逻辑、选择信号、时钟信号进行修改，实现指令存储器的位宽扩展。另外，本发...
虞志益俞政于学球刘宁希曾晓洋
一种可重构单指令多进程的多核处理器及方法
本发明属于多核处理器技术领域，具体涉及一种可重构单指令多进程的多核处理器及方法。本发明的可重构单指令多进程多核处理器，基于现有的一个簇状结构、共享内存多核处理器模型，每个簇中包含四个单核和一个共享内存；在此基础上增加如下...
虞志益俞政于学球刘宁希曾晓洋
一种低功耗的长指令字指令存储器及其优化功耗的方法
本发明属于微处理器技术领域，具体涉及一种微处理器的指令存储器及其优化功耗的方法。本发明将指令存储器的位宽扩充为4条指令，并且，相应地对存储器的指令选择逻辑、选择信号、时钟信号进行修改，实现指令存储器的位宽扩展。另外，本发...
虞志益俞政于学球刘宁希曾晓洋
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