您的位置： 专家智库 > >

李侃

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇灵敏放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇辐照加固
  • 1篇SOI
  • 1篇SONOS

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇王雪强
  • 1篇伍冬
  • 1篇潘立阳
  • 1篇谯凤英
  • 1篇邓宁
  • 1篇李侃

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计被引量：2
2010年
总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.
李侃伍冬王雪强谯凤英邓宁潘立阳
关键词：SONOS灵敏放大器总剂量辐照辐照加固
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0