孙永斌
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 条形栅VUMOSFET特征导通电阻的物理模型
- 2009年
- 以低压条形VUMOSFET单胞为例,系统分析VUMOSFET特征导通电阻(Ron)的各个构成部分。重点定性分析了特征导通电阻与器件的横向和纵向结构参数的关系。通过分析和仿真计算,得出条形VUMOSFET单胞设计的优化原则,并给出具体解析表达式。
- 石广源王新孙永斌
- 关键词：特征导通电阻物理模型
- VUMOSFET开关电容的研究
- 2009年
- VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素.本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用.
- 石广源盖锡民王新孙永斌
- 关键词：CGDCDS
- 功率VUMOSFET器件阈值电压最佳化设计被引量：1
- 2010年
- 从功率VUMOSFET器件结构出发,通过使用模拟软件SILVACO进行工艺和器件仿真,根据仿真结果分析了器件沟道掺杂浓度分布对阈值电压的影响,进而提出工艺改进的措施.对功率VUMOSFET的设计与生产具有指导意义.
- 石广源王新孙永斌
- 关键词：阈值电压
