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赵权

作品数：35 被引量：10H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 22篇晶片
  • 21篇单晶
  • 15篇单晶片
  • 8篇锗单晶
  • 8篇锗
  • 6篇抛光片
  • 5篇砂轮
  • 5篇抛光
  • 5篇硅单晶
  • 5篇半导体
  • 4篇抛光液
  • 3篇单晶生长
  • 3篇损伤层
  • 3篇凸台
  • 3篇千分表
  • 3篇中心位
  • 3篇中心位置
  • 3篇位错
  • 3篇销孔
  • 3篇激光

机构

  • 35篇中国电子科技...

作者

  • 35篇赵权
  • 25篇杨洪星
  • 14篇张伟才
  • 12篇韩焕鹏
  • 12篇刘春香
  • 9篇杨静
  • 8篇吕菲
  • 6篇佟丽英
  • 5篇于妍
  • 3篇庞炳远
  • 2篇康洪亮
  • 2篇刘锋
  • 2篇索开南
  • 2篇陈建跃
  • 2篇高丹
  • 1篇纪秀峰
  • 1篇吕菲
  • 1篇王建利
  • 1篇李保军

传媒

  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体材料的激光打标方法
本发明涉及一种半导体材料的激光打标方法，具体步骤包括一、根据半导体材料的直径设计夹具,二、将夹具放到激光打标机的工作台上，激光打标机检测夹具的位置并固定；三、将半导体材料放到夹具上，并使半导体材料的参考面及圆柱面贴紧在数...
杨洪星 陈晨 何远东赵权 武永超吕菲于妍 陈亚楠
一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法
本发明公开了一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法。在直拉法硅单晶生长过程中，增加氨气高温离解装置，将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g)，N(g)溶解于硅熔体，并扩散至单晶生长固、液交界面处，然后随着生长过程的进行...
张颖武韩焕鹏赵堃李明佳莫宇张伟才赵权刘锋
一种单晶片厚度测量装置
本发明涉及一种单晶片厚度测量装置，该装置包括测试台、测试环、横梁和千分表；测试台一侧向上设有螺纹孔，螺纹孔的下侧为销孔，销孔的侧壁上设有顶丝孔，测试台的另一侧设有支架，测试环的上端面中心位置设有圆柱形凸台用于放置被测单晶...
唐文虎杨洪星刘春香 王云彪 陈晨赵权
一种锗单晶片位错腐蚀检测方法
本发明公开了一种锗单晶片位错腐蚀检测方法，包括以下步骤：将经过抛光的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合的位错腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀结束后，检测其位错密度。本发明对锗单晶片进行位错检测，可以直接对单晶的切割片、研...
佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
文献传递
一种变R值晶片边缘倒角方法
本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法，步骤为首先进行砂轮设计，针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R值的砂轮，其余槽可以根据需要进行设计；其次将砂轮安装到全自动倒角机上；再次进行边缘初步成型是使用半径为R1的槽对晶片进行...
杨洪星刘玉岭范红娜韩焕鹏何远东陈晨陶术鹤赵权杨静
文献传递
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺...
陈晨杨洪星索开南 李聪庞炳远杨静 王雄龙张伟才赵权
文献传递
半导体照明工程用VB-GaAs衬底材料
牛沈军李仕福兰天平王建利周传新林健赵权刘春香
在现有技术平台上，通过该项目的研究，解决了光电器件用VB-GaAs衬底材料生产中的瓶颈技术的重复性可控技术，诸如：热场设计、控制调试技术，引晶技术，成晶技术，载流子浓度控制技术，抛光片“Epi-Ready”技术等的重复可...
关键词：
关键词：照明工程
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，...
林健赵权刘春香吕菲杨洪星于妍佟丽英
文献传递
一种铌酸锂基片的黑化方法
本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成，铌酸锂基片的黑化步骤为：1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物；2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中；3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中...
王雄龙杨洪星范红娜杨静韩焕鹏陈晨赵权高丹
文献传递
一种制作异形硅单晶抛光片的方法
本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片，将硅片贴膜后，使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。...
陈晨杨洪星韩焕鹏庞炳远何远东范红娜杨静张伟才赵权
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